Vishay的采用延展型SO-6封装的新款 IGBT和MOSFET驱动器实现紧凑设计、快速开关和高压

来源：Vishay 作者：Vishay 时间：2024-10-24 10:10

 Vishay IGBT MOSFET

美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年10月24日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款采用紧凑、高隔离延展型SO-6封装的最新IGBT和MOSFET驱动器---VOFD341A和VOFD343A。Vishay VOFD341A和VOFD343A的峰值输出电流分别达3 A和4 A，工作温度高达+125 C，传播延迟低至200 ns。

今天发布的光耦合器包含一个AlGaAs LED（该LED通过光学耦合方式连接到具有功率输出级的集成电路，用于太阳能逆变器和微逆变器）、交流和无刷直流工业电机控制逆变器，以及用于UPS中交流/直流转换的逆变级。器件非常适合直接驱动额定值达1200 V / 100 A的IGBT。

VOFD341A和VOFD343A支持的工作温度高，这为更紧凑的设计提供了更高的温度安全裕量，而器件的高峰值输出电流无需额外的驱动级即可实现更快开关。器件的传播延迟低，可将开关损耗降至最低程度，同时有助于进行更精确的PWM调节。

光耦合器的高隔离封装可支持高达1140 V的高工作电压，因此可用于高压逆变级，同时仍能保持足够的电压安全裕量。这些器件符合RoHS规范，可支持高达50 kV/μs的抗扰，从而防止在快速开关功率级中出现下降函数。

VOFD341A和VOFD343A现可提供样品并已实现量产，订货周期为六周。


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